Gamintojo produkto numeris:
TSM7N65ACI C0G
Product Overview
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalių numeris:
TSM7N65ACI C0G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventorius:
12898788
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TSM7N65ACI C0G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Taiwan Semiconductor
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.45Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
27.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1406 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
40W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
ITO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TSM7N65ACI C0G-DG
TSM7N65ACIC0G
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
TK8A65W,S5X
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
50
DiGi DALIES NUMERIS
TK8A65W,S5X-DG
VISO KAINA
0.66
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMG3413L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
TSM190N08CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220
TSM6NB60CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220
